삼성전자가 다음 주 세계 최초로 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기술을 적용한 3나노미터(1㎚는 10억분의 1m) 반도체 제품을 공개한다.
19일 정부와 업계에 따르면 삼성전자는 오는 25일 삼성전자 화성 캠퍼스에서 위탁생산(파운드리) 3나노미터 공정 양산 출하식을 개최한다.
이창양 산업통상자원부 장관과 삼성전자 임직원, 반도체 업계 관계자 등이 참석한 가운데 열리는 출하식에서는 3나노미터 제품 공개와 함께 기술개발 경과보고 등도 이뤄질 예정이다.
이 장관의 출하식 참석은 반도체 기술 초격차 확보를 위한 정부의 전방위적인 지원 의지로 풀이된다. 산업부는 3나노미터 반도체 출하식에 앞서 오는 21일 반도체 발전 전략을 발표할 예정이다.
