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삼전·닉스, 불붙은 10세대 낸드 양산 경쟁, 캘리포니아서 공개

2026년 08월 05일
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‘FMS 2026’ SK하이닉스 전시 조감도 (사진=SK하이닉스 제공) 2026.08.04. photo@newsis.com

삼성전자와 SK하이닉스의 10세대 낸드플래시 양산 경쟁이 본격화했다.

인공지능(AI) 인프라 확대에 따라 낸드 수요도 늘어나자, 차세대 제품을 중심으로 낸드 시장 주도권을 잡겠다는 포석이다.

5일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 지난 4일부터 6일까지 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’에 참가해 10세대 낸드를 처음으로 공개했다.

삼성전자와 SK하이닉스는 AI 시장이 학습에서 추론 중심으로 확대되며 낸드가 AI 시스템 메모리를 구성하는 핵심 요소로 자리 잡자 차세대 낸드 개발과 양산에 속도를 내고 있다.

특히 데이터센터를 중심으로 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)의 수요가 증가하면서 핵심 메모리인 낸드 시장도 성장하고 있다.

시장조사업체 옴디아는 글로벌 낸드 시장 매출 규모가 지난해 730억 달러(약 104조)에서 올해 3601억 달러(약 515조) 규모로 395% 늘어날 것으로 전망했다.

삼성전자는 업계 최초로 수직으로 400단 이상 쌓은 10세대 낸드 ‘BV-낸드’를 공개했다.

삼성전자의 10세대 낸드는 400단 이상의 초고적층 구조를 기반으로 성능과 전력효율을 높인 차세대 낸드 제품이다.

웨이퍼 본딩 및 3스택(Stack) 기술을 통해 400단 이상의 초고적층을 구현했다.

[ 삼성전자는 4일부터 6일까지(현지 시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 ‘FMS 2026’에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 목업(Mock-up)을 업계 최초로 공개한다.사진은 삼성전자 V10 BV-NAND. (사진=삼성전자 제공) 2026.08.05. photo@newsis.com
삼성전자는 전작인 286단 9세대 낸드 다음 제품으로 300단대를 건너뛰고, 400단대 제품을 선보였다.

메모리 집적도를 9세대 대비 약 58% 향상시켜 동일한 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다.

10세대 낸드는 단순히 적층 수를 늘리는 데 그치지 않고 데이터 읽기·쓰기 성능과 입출력(I/O) 속도도 전 세대 대비 향상해 고성능·고용량 낸드 시장에 최적화된 경쟁력을 확보했다.

삼성전자는 이달부터 10세대 낸드 제품의 초도 물량을 양산할 예정이다.

SK하이닉스도 ‘FMS 2026’에서 개발을 진행 중인 10세대 375단 4D 낸드의 웨이퍼와 제품을 처음으로 공개했다.

SK하이닉스의 10세대 낸드는 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높인 것이 특징이다.

전력 효율과 성능을 동시에 요구하는 데이터센터 등 AI 인프라 환경에 최적화됐다.

SK하이닉스는 내년 초 10세대 낸드를 기반으로 한 고성능·고용량 eSSD 양산에 착수해 AI 시장에서의 낸드 리더십을 한층 강화할 계획이다.

업계 관계자는 “AI 데이터센터용 eSSD가 수요가 늘면서 동일 면적에 극대화된 용량을 제공하는 초고적층 낸드의 중요성도 커지고 있다”며 “메모리 업체들의 차세대 낸드 개발 경쟁도 한층 치열해질 것으로 보인다”고 밝혔다.

K-News LA 편집부

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